相控陣列變頻微波技術 解決晶片生成缺陷問題 | 新頭條-TheHubNews

新竹振道／記者簡舒祺／新竹報導 隨著半導體製程的演進，元件線寬及膜厚均達10奈米左右，元件容易因傳統高溫退火帶來的副作用，導致元件失效，為了解決晶片生成缺陷問題，工研院研發「相控陣列變頻微波技術」，這項新技術能在攝氏500度以下，透過微波相位與變頻整合的控制，達到半導體材料低溫均勻加熱的目的。 這項技術製程相較於微波退火做法，成本節省約一半的費用，更具市場競爭力，目前除了已經與…