東芝開發帶嵌入式肖特基勢壘二極體的低導通電阻高可靠性SiC MOSFET – 美國商業資訊

日本川崎–(美國商業資訊)–東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會社(Toshiba Corporation)（統稱「東芝」）已經開發了一種碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)。該電晶體將嵌入式肖特基勢壘二極體(SBD)排列成方格狀（方格狀嵌入式…